各向异性热导途径规划：选用层状石墨与热解石墨（PG）复合结构，面内热导率>2000W/m·K，垂直方向>80W/m·K，匹配VC腔体定向传热需求。

高纯度要求：石墨纯度需到达99.9%以上，要害部件（如加热元件）甚至要求99.99%以上的超高纯度，以避免杂质在高温下蒸发污染工件。例如，半导体单晶硅生长炉中，石墨坩埚的金属杂质（如Fe、Ni）含量必须低于10ppm。